卓力達(dá)公司長(zhǎng)期供應(yīng)高精度光刻掩膜板的設(shè)計(jì)制作產(chǎn)品，光刻掩膜板的設(shè)計(jì)，價(jià)格實(shí)惠，量大從優(yōu)。

光刻掩膜板的設(shè)計(jì)制作加工的產(chǎn)品可以應(yīng)用于電子束蒸發(fā)，熱蒸發(fā)，磁控濺射等設(shè)備中，用來(lái)制備太陽(yáng)能電池，光電探測(cè)器，LED，激光器，場(chǎng)效應(yīng)晶體管等各種器件電極及各種薄膜材料圖形設(shè)計(jì)。
我們已與眾多如：北京大學(xué)，清華大學(xué)，中科院蘇州納米所，中科院深圳先進(jìn)院，蘭州物化的，合肥物質(zhì)所，武漢大學(xué)，華中科技大學(xué)，中科院昆明植物研究所，北京航空航天大學(xué)，山東大學(xué)，浙江大學(xué)，吉林大學(xué)，華南理工，中山大學(xué)，東南大學(xué)，蘇州大學(xué)，太原理工大學(xué)等國(guó)內(nèi)眾多的高校和科研院所以及高技術(shù)企業(yè)形成了長(zhǎng)期合作關(guān)系，積累了豐富的設(shè)計(jì)和制備經(jīng)驗(yàn)，具備諸多優(yōu)勢(shì)。
卓力達(dá)公司的光刻掩膜板的設(shè)計(jì)制備工藝主要采用曝光腐蝕工藝（與光刻法在硅表面制備高精度的圖案類(lèi)似），這種方法可以根據(jù)客戶(hù)要求靈活設(shè)計(jì)各種圖案，且制備出來(lái)的圖案尺寸標(biāo)準(zhǔn)。我們的圖案尺寸精度可以達(dá)到0.01mm以上，邊緣銳利無(wú)毛刺，開(kāi)孔直線(xiàn)度好，真圓度好。

在材質(zhì)的選取方面，我們選用高韌性的SUS304 H不銹鋼材料，這樣做出來(lái)的掩模板不但精度高，而且表面光滑，產(chǎn)品不易受彎折而變形，經(jīng)久耐用，同時(shí)還能夠讓掩模板與器件保持很緊密的貼合，減少陰影效果。
我們所采用的不銹鋼厚度包括0.03mm,0.05mm,0.06mm,0.08mm到1 mm的各種尺寸，采用較薄的不銹鋼制備出來(lái)的掩模板所產(chǎn)生的陰影效果會(huì)更少,擾度更可控。
本公司承接各種圖案定制，客戶(hù)最好能提供包含尺寸的CAD版設(shè)計(jì)圖。如果畫(huà)圖實(shí)在有困難，我們可以根據(jù)客戶(hù)描述來(lái)繪制，同時(shí)我們還能對(duì)客戶(hù)的掩模板設(shè)計(jì)提供一些建議。

1.下面先舉幾個(gè)光刻掩膜板的設(shè)計(jì)的實(shí)例，后面再解釋幾個(gè)光刻掩膜板的設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)技巧

如果客戶(hù)自己的設(shè)備有較好的樣品架，可以只考慮做一片上面所示的單片光刻掩膜板就行。如果沒(méi)有較好的固定器件的方案，建議采用我們的疊層設(shè)計(jì)法。下面以0.1mm的柵狀電極為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

   如圖所示，客戶(hù)可以設(shè)計(jì)四種不銹鋼片，其中右下角的為帶電極圖案的掩膜板。右上角為固定器件的方格板，我們將方格板用螺絲固定到掩膜板上面就可以防止電池片的左右移動(dòng)。

方格板的厚度可以根據(jù)器件的厚度來(lái)定制，如圖中所示的方格板就是可以放入厚度為0.5mm，邊長(zhǎng)為1*1cm的電池片共16片。客戶(hù)還可以一次性設(shè)計(jì)幾個(gè)不同厚度的方格板，這樣自己就可以通過(guò)將不同厚度的方格板疊合在一起形成任意組合的厚度，以便于用于不同厚度器件的電極蒸鍍。

中間掩膜板有兩種應(yīng)用：1）把圖形復(fù)印到工作掩膜板上。2）在分步重復(fù)對(duì)準(zhǔn)儀中把圖像直接轉(zhuǎn)移到硅片上。在1X硅片步進(jìn)光刻機(jī)中，掩膜板上的圖形與投影到硅片上圖形一樣大；在縮小步進(jìn)光刻機(jī)中，掩模版上的圖形是放大的真實(shí)器件圖像。
     在VLSI中，電子束曝光10X或5X的掩膜板，或直接用電子束產(chǎn)生1X 的工作掩
模版

     玻璃的質(zhì)量和準(zhǔn)備:
     用以制作光刻掩膜板的玻璃必須內(nèi)部和兩表面都物缺陷。必須于光刻膠的曝光波長(zhǎng)下有高的光學(xué)透射率。被用來(lái)制作掩膜板的玻璃有好幾種，包括：a）鈉鈣玻璃b）硼硅玻璃c）石英玻璃。綠色的鈉鈣玻璃和低鈉白鈉鈣玻璃（貴50％）容易被拉制成大面積的薄張，而且表現(xiàn)出很好的質(zhì)量，它們熱膨脹系數(shù)高（93×10－ 7cm/cm°c），使得它門(mén)大大不適合在投影中應(yīng)用。在應(yīng)用中要求低的熱膨脹系數(shù)的材料，就選擇硼硅玻璃和石英玻璃（熱膨脹系數(shù)分別是37和5×10－ 7cm/cm°c）。在一些情況下，周?chē)鷾囟鹊淖兓瘜?dǎo)致硅片上圖形的定位錯(cuò)誤，此時(shí)就要求選擇硼硅玻璃和石英玻璃。石英圓片是超低膨脹系數(shù)的玻璃，它的熱膨脹系數(shù)非常小。石英玻璃同樣在深UV和近深UV區(qū)域內(nèi)有很高的穿透系數(shù)。石英相當(dāng)貴，現(xiàn)在傾向于發(fā)展高質(zhì)量的合成石英材料。天然石英通過(guò)火焰熔融法加工，用氧氫氣溶化巖石晶體。合成石英是用超純SiCl4，它提供寬的光投射鋁區(qū)域，低的雜質(zhì)含量和少的物理缺陷。它的應(yīng)用隨著低膨脹率和深UV的要求變得逐漸廣泛。圓片被拋光、清洗，在形成掩模圖像之前被檢查。拋光是個(gè)多重步驟，在圖片兩個(gè)表面連續(xù)不斷地分級(jí)研磨。圖片在檢測(cè)和掩模之前被清洗、沖洗、干燥。
     玻璃的表面覆蓋（鉻）
     下一步是在玻璃圓片上覆蓋一層材料最終形成圖形。這些材料包括乳劑、鉻和氧化鐵。乳膠不在VLSI中應(yīng)用，因?yàn)椴蝗菀卓刂凭€(xiàn)條寬，而且它經(jīng)不住使用和清洗。鉻是最廣泛應(yīng)用的材料，它以濺射或蒸發(fā)的方式淀積到圓片上。盡管濺射鉻比蒸發(fā)鉻的反射性強(qiáng)（不希望有的特性），但用抗反射膜可以彌補(bǔ)但用抗反射膜可以彌補(bǔ)但用抗反射膜可以彌補(bǔ)?？狗瓷淠ぐ粚颖〉模?00A）的Cr2O3，它降低了反射率。
     掩膜板成像（光刻膠的應(yīng)用和工藝）
     光刻膠的由于和它的后道工序用來(lái)產(chǎn)生圖像（用光學(xué)或用電子束），和在硅片上制作圖形相似，但這里應(yīng)用的光刻膠膜更薄，而且曝光裝置的型號(hào)不同。
     在制膜之前，先清洗和干燥空片，然后旋轉(zhuǎn)覆蓋上過(guò)濾過(guò)的光刻膠。在光掩膜板的制作中，應(yīng)用的光學(xué)光刻膠是AZ1370或Kodak820，或用電子束光刻膠PMMA和COP。較厚的膜導(dǎo)致線(xiàn)條尺寸控制和抗針孔能力的增進(jìn)；但薄光刻膜（0.2～0.3μm）的分辨率更好。
     因?yàn)楣饪棠z涂得很薄，所以只需快速前烘。曝光必須嚴(yán)格控制，因?yàn)楦叻瓷渎实你t膜導(dǎo)致駐波。光刻膠經(jīng)過(guò)光學(xué)的或電子束方式曝光。光刻膠經(jīng)過(guò)發(fā)展，典型的是應(yīng)用噴射技術(shù)。嚴(yán)格的控制顯影劑濃度和溫度以保證線(xiàn)條尺寸的控制是很關(guān)鍵的。這個(gè)步驟之后，對(duì)關(guān)鍵尺寸和分辨率進(jìn)行測(cè)量確保它們能符合規(guī)格，并且用掩膜版或用Nicon2I檢查產(chǎn)生的錯(cuò)誤。在刻蝕之前對(duì)光刻膠進(jìn)行后烘。
     把圖形轉(zhuǎn)移到鉻膜上大部分用濕法刻蝕完成，因?yàn)闈穹涛g對(duì)于薄的鉻膜很有效。
     產(chǎn)生圖形
     中間掩膜板圖形的產(chǎn)生
     在過(guò)去的十年，光學(xué)掩膜板圖形的制作（PG）領(lǐng)域取得了顯著的進(jìn)步。圖形可以方便地制作，用成象的方法或使一系列矩形圖形精確地定位到鉻片上。因?yàn)镮C設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)的圖形通常是多邊型的，它們必須被分解成矩形，稱(chēng)作“分割”數(shù)據(jù)。關(guān)系圖形產(chǎn)生器（OPG）的關(guān)鍵部件是光孔（或快門(mén)），和一個(gè)可移動(dòng)的臺(tái)階?？扉T(mén)被安裝在可移動(dòng)的頭上，它可以被旋轉(zhuǎn)以獲得需要的θ值，快門(mén)尺寸能夠控制產(chǎn)生特定H、W的矩形來(lái)制作圖形。用10×的鏡頭把矩形成像到一個(gè)鍍有鉻的玻璃圓片的光敏層上。用激光控制X－Y臺(tái)面精確地定位圓片。由臺(tái)面設(shè)置光孔所定義的矩形的中心坐標(biāo)X和Y。光孔的尺寸可以控制在±7.5μm，導(dǎo)致掩膜板上尺寸的±0.75μm的不確定性（縮小10倍后）。這是關(guān)鍵尺寸的控制。如果生產(chǎn)10×的掩模板，在硅片上產(chǎn)生±0.075的誤差。除孔的尺寸產(chǎn)生的錯(cuò)誤外，還有掩模板和硅片加工時(shí)產(chǎn)生的錯(cuò)誤。由于臺(tái)階受激光控制，所以X，Y的定位錯(cuò)誤非常小。當(dāng)仍然會(huì)導(dǎo)致定位錯(cuò)誤。這樣的錯(cuò)誤導(dǎo)致成品率的下降。
     OPG的成品率依賴(lài)于掩模板的復(fù)雜程度，數(shù)據(jù)分割程序的優(yōu)化，和要求的定位精度。一個(gè)調(diào)制得很好的AZ1370機(jī)器在產(chǎn)生一個(gè)優(yōu)化的圖形時(shí)，有每小時(shí) 10,000的曝光產(chǎn)率。一個(gè)復(fù)雜的VLSI電路有超過(guò)100,000的的矩形，要求10個(gè)多小時(shí)生產(chǎn)一個(gè)掩模板。在這個(gè)期間要求溫度的變化不能大于± 0.5F，這樣才不增加定位錯(cuò)誤。掩模板的質(zhì)量不能被確定，直到鉻顯影、蝕刻后。在那時(shí)的探傷就是10小時(shí)工作的檢驗(yàn)。
     電子束圖形制作
     電子束曝光系統(tǒng)（EBES）起初由貝爾實(shí)驗(yàn)室在1970年開(kāi)發(fā)。用光柵掃描
得到圖形。掩模版制作商業(yè)化的說(shuō)法是有意義的，而且在商業(yè)領(lǐng)域和掩膜板

光掩膜板制作缺陷用傳播光檢查。在過(guò)去，這樣的檢查是由人工用顯微鏡來(lái)完成的。當(dāng)掩模版變得越來(lái)越復(fù)雜的時(shí)候，這項(xiàng)工作由自動(dòng)化工具完成，變得更迅速也更少有錯(cuò)誤。這種系統(tǒng)能夠在全片上檢測(cè)缺陷的分布和尺寸。在光學(xué)透明襯底上，0.35μm的缺陷（例如針孔），用最先進(jìn)的設(shè)計(jì)系統(tǒng)能夠95%地檢查出來(lái)。自動(dòng)檢查系統(tǒng)能夠檢查出細(xì)小的缺陷。掩模版制造者通常把一個(gè)掩模版在自動(dòng)系統(tǒng)中檢查若干遍，以保證所有的缺陷都能夠被檢查出來(lái)。市場(chǎng)上有許多種掩模版缺陷檢查系統(tǒng)出售，包括KLA、KLARIS和CIC。
     圖形從掩膜板轉(zhuǎn)移到硅片之前最后一次檢查是用玻璃硅片，玻璃硅片上只有一些單元被曝光。一個(gè)掩膜板自動(dòng)檢查系統(tǒng)在幾分鐘內(nèi)使掩模版合格。這些玻璃硅片是硅片的復(fù)制品，通常有76、100、125、和150mm尺寸的，它的表面涂有一層鋁膜。
     修復(fù)掩膜板上的缺陷
     掩膜板上的致命缺陷顯然是不希望的，有可能因?yàn)檠谀ぐ迳嫌幸粋€(gè)缺陷而使整個(gè)掩膜板沒(méi)用。所以修復(fù)這些缺陷顯得非常有必要。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一些掩膜板修復(fù)方法。用激光修補(bǔ)不透明的掩膜板已經(jīng)使用若干年了（即把不需要的鉻沾污去除）。一個(gè)聚焦的激光束僅僅能蒸發(fā)掉一些不需要的材料。激光蒸發(fā)可能對(duì)玻璃襯底產(chǎn)生潛在的破壞。大的鉻沾污可能需要若干激光脈沖一去除它們，如果產(chǎn)生激光灼傷，將導(dǎo)致具有復(fù)制能力的缺陷。
     保護(hù)膜
     雖然在投影復(fù)印系統(tǒng)中掩膜板的制造無(wú)缺陷（即在需要時(shí)采用修補(bǔ)技術(shù)），而且光掩膜板和硅片接觸時(shí)不產(chǎn)生破壞，但在傳遞過(guò)程中仍然可能導(dǎo)致掩模版缺陷。對(duì)于 1μm的分辨率，大得能夠引起缺陷的微粒仍然難以檢測(cè)和去除。所有在投影復(fù)印工藝中，用以保護(hù)掩膜板不致缺陷的方法仍然迫切需要。一種有效的方法是應(yīng)用保護(hù)膜。

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