化學(xué)蝕刻加工根據(jù)材料不同及蝕刻加工要求不同，可以選用酸性或者堿性蝕刻液，在蝕刻過(guò)程中不管是深的蝕刻或是淺的蝕刻，其蝕刻的切口都基本相同，都有一個(gè)可測(cè)量的層下橫向蝕刻和圓弧形的截面形狀。只有當(dāng)蝕刻加工繼續(xù)進(jìn)行到遠(yuǎn)離切入點(diǎn)時(shí)，才會(huì)形成工業(yè)上成為“直邊”的矩形截面。要做到這一步就必須在材料切透后還要再蝕刻一段時(shí)間，才能將突出部分完全切去。從這也可以看出，使用化學(xué)方法進(jìn)行精密切割只能適用于厚度很薄的金屬材料。

    化學(xué)蝕刻加工使斷面形成直邊的能力，主要取決于蝕刻加工所使用的設(shè)備。而這類(lèi)設(shè)備通常所使用的加工方法，都具有恒定壓力的噴射裝置，其蝕刻的噴射力，將保證使暴露在它作用下的材料迅速溶解，這種溶解作用也包括前面談到的圓弧形中央突出的部位。

在這里與被蝕刻金屬相適應(yīng)的強(qiáng)有力的腐蝕劑也是非常關(guān)鍵的。腐蝕劑的強(qiáng)度，噴射壓力機(jī)密度，蝕刻溫度，設(shè)備的傳送速度（或蝕刻時(shí)間）等。這五要素配合得當(dāng)。就能在較短的時(shí)間內(nèi)，將中央的突出部分切掉而成為近似直邊，這樣就可以做到更高的蝕刻精度。

在照相防蝕技術(shù)化學(xué)蝕刻加工中，最精密的一種是用來(lái)加工集成電路各種薄層的硅j晶片，其切口的幾何形狀在尺寸上也是極微小的，在蝕刻過(guò)程中為了保證半導(dǎo)體元件不受到任何的影響，所使用的各種化學(xué)品，比如各種清潔劑、各種腐蝕劑等都是非常高純度的化學(xué)試劑。

腐蝕劑的選擇都是根據(jù)加工材料的不同來(lái)覺(jué)定的，如：硅片是用氫氟酸和 HNO3，氧化硅片則是用氫氟酸和 NH4F 。化學(xué)蝕刻加工集成電路時(shí)，其蝕刻加工切口的幾何形狀和航空航天工業(yè)中的化學(xué)蝕刻切口幾何形狀沒(méi)有什么不同。但是它們兩者之間在蝕刻深度上差了好幾個(gè)數(shù)量級(jí)，前者蝕刻深度不到1um。而后再可達(dá)幾毫米甚至更深。

蝕刻介質(zhì)的不同也會(huì)得到不同的層下蝕刻速率，也就有了不同的蝕刻截面。不如在鋁合金蝕刻中，添加硝鹽酸的Na''''''''''''''''OH蝕刻液的層下蝕刻速率低，截面弧形比單獨(dú)使用NaOH時(shí)小。同樣對(duì)集成電路的硅片，用傳統(tǒng)的酸性蝕刻會(huì)使截面呈現(xiàn)弧形，如果用堿性蝕刻得到的截面是一種近似于55度的斜邊。這兩種例子對(duì)于精密化學(xué)蝕刻加工來(lái)說(shuō)是非常重要的，因?yàn)樗墒雇鹊膱D文蝕刻得更深，或者在單位面積內(nèi)可做到更精細(xì)的圖文。對(duì)于后者，在單位面積的硅片上，可以集成更多的電路單元。

隗（yu)小姐：136 2020 3959

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