卓力達(dá)公司長(zhǎng)期供應(yīng)高精度金屬掩模板，不銹鋼掩模板，價(jià)格實(shí)惠，量大從優(yōu)。
產(chǎn)品可以應(yīng)用于電子束蒸發(fā)，熱蒸發(fā)，磁控濺射等設(shè)備中，用來制備太陽(yáng)能電池，光電探測(cè)器，LED，激光器，場(chǎng)效應(yīng)晶體管等各種器件電極及各種薄膜材料圖形設(shè)計(jì)。
我們已與北京大學(xué)，清華大學(xué)，中科院蘇州納米所，中科院深圳先進(jìn)院，蘭州物化的，合肥物質(zhì)所，武漢大學(xué)，華中科技大學(xué)，中科院昆明植物研究所，北京航空航天大學(xué)，山東大學(xué)，浙江大學(xué)，吉林大學(xué)，華南理工，中山大學(xué)，東南大學(xué)，蘇州大學(xué)，太原理工大學(xué)等國(guó)內(nèi)眾多的高校和科研院所以及高技術(shù)企業(yè)形成了長(zhǎng)期合作關(guān)系，積累了豐富的設(shè)計(jì)和制備經(jīng)驗(yàn)，具備諸多優(yōu)勢(shì)。
卓力達(dá)公司的掩模板制備工藝主要采用曝光腐蝕工藝（與光刻法在硅表面制備高精度的圖案類似），這種方法可以根據(jù)客戶要求靈活設(shè)計(jì)各種圖案，且制備出來的圖案尺寸標(biāo)準(zhǔn)。我們的圖案尺寸精度可以達(dá)到0.01mm以上，邊緣銳利無毛刺，開孔直線度好，真圓度好。

在材質(zhì)的選取方面，我們選用高韌性的SUS304 H不銹鋼材料，這樣做出來的掩模板不但精度高，而且表面光滑，產(chǎn)品不易受彎折而變形，經(jīng)久耐用，同時(shí)還能夠讓掩模板與器件保持很緊密的貼合，減少陰影效果。
我們所采用的不銹鋼厚度包括0.03mm,0.05mm,0.06mm,0.08mm到1 mm的各種尺寸，采用較薄的不銹鋼制備出來的掩模板所產(chǎn)生的陰影效果會(huì)更少,擾度更可控。
本公司承接各種圖案定制，客戶最好能提供包含尺寸的CAD版設(shè)計(jì)圖。如果畫圖實(shí)在有困難，我們可以根據(jù)客戶描述來繪制，同時(shí)我們還能對(duì)客戶的掩模板設(shè)計(jì)提供一些建議。
下面先舉幾個(gè)掩模板的實(shí)例，后面再解釋幾個(gè)掩模板的設(shè)計(jì)技巧。
如下圖所示是各種圖案實(shí)例。

在IC加工過程中，需要使用中間掩模板和光掩模板。我們定義中間掩模版是為整個(gè)基片曝光而必須分步和重復(fù)的包含圖像的工具。通常圖像的尺寸被放大到基片上圖像的2倍到20倍，但在一些情況下也用相等的圖像。光掩模版被定義為在一次曝光中能把圖形轉(zhuǎn)移到整個(gè)硅片中（或另一張光掩模版上）的工具。中間掩模版有兩種應(yīng)用：1）把圖形復(fù)印到工作掩模版上。2）在分步重復(fù)對(duì)準(zhǔn)儀中把圖像直接轉(zhuǎn)移到硅片上。在1X硅片步進(jìn)光刻機(jī)中，掩模版上的圖形與投影到硅片上圖形一樣大；在縮小步進(jìn)光刻機(jī)中，掩模版上的圖形是放大的真實(shí)器件圖像。
     在VLSI中，電子束曝光10X或5X的掩模版，或直接用電子束產(chǎn)生1X 的工作掩
模版

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